-
1 NMOS
n-channel metal-oxide-semiconductor - N-канал металлооксидного полупроводника; n-канальная МОП-структура; n-канальный МОП-прибор; п-МОП-структура; метал-окисел-полу проводник структура с N-канал ом; МОП-прибор с каналом n-типа; МОП-структура с каналом п-типа; n-MOST n-type metal-oxide-semiconductor transistor - МОП-транзистор с каналом n-типа -
2 PMOS
1. p-channel metal oxide semiconductor - р-канальная МОП-структура; р-канальный МОП-прибор; р-канальный МОП-транзистор; метал-оксид-полупроводник структура с Р-каналом; МОП-структура с каналом р-типа; р-канальная МОП-структура; р-МОП-структура;2. p-type metal-oxide-semiconductor - МОП-прибор с каналом р-типа -
3 n-channel metal-oxide-semiconductor
Универсальный англо-русский словарь > n-channel metal-oxide-semiconductor
-
4 p-type metal-oxide-semiconductor
Техника: МОП-прибор с каналом p-типаУниверсальный англо-русский словарь > p-type metal-oxide-semiconductor
-
5 NMOS
= n-channel metal-oxide-semiconductor -
6 PMOS
= p-type metal-oxide-semiconductor -
7 NMOS
сокр. от n-channel metal-oxide-semiconductorThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > NMOS
-
8 PMOS
сокр. от p-type metal-oxide-semiconductorThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > PMOS
-
9 p-channel MOS
MOS design — МОП-структура; МОП-прибор
-
10 p-channel metal oxide semiconductor
Универсальный англо-русский словарь > p-channel metal oxide semiconductor
-
11 nМОП
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура). -
12 NMOS
(n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor)nМОП (n-канальный металл-оксид-полупроводник)Сокращение от n-канальный МОП-прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n- канальный МОП-транзистор, или n- канальная МОП-логика, или МОП- структура с каналом n-типа (n-МОП- структура). -
13 BINMOS
= bi-NMOS, = bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на-биполярных транзисторах и-МОП-транзисторах с-каналом n-типа -
14 BINMOS
сокр. от bipolar n-channel metal-oxide-semiconductor2) (комбинированная) технология изготовления ИС на биполярных транзисторах и МОП-транзисторах с каналом n-типаThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > BINMOS
-
15 n-channel device
1) Электроника: n-канальный прибор, прибор с каналом n-типа2) Микроэлектроника: n-канальный МОП-прибор
См. также в других словарях:
nМОП — NMOS (n Channel Metal Oxide Semiconductor) nМОП (n канальный металл оксид полупроводник) Сокращение от n канальный МОП прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n канальный МОП транзистор, или n канальная МОП логика, или МОП структура с… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
NMOS — NMOS (n Channel Metal Oxide Semiconductor) nМОП (n канальный металл оксид полупроводник) Сокращение от n канальный МОП прибор, употребляющееся в сочетаниях типа n канальный МОП транзистор, или n канальная МОП логика, или МОП структура с… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
БМ «Оплот» — … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
